微流控芯片溫度控制主要運(yùn)用在芯片行業(yè)中，那么，對于微流控芯片溫度控制中的一些專業(yè)術(shù)語，我們需要了解清楚，才能更有效的運(yùn)行微流控芯片溫度控制裝置。

　　微流控芯片溫度控制中CP是把壞的Die挑出來，可以減少封裝和測試的成本。可以更直接的知道Wafer 的良率。FT是把壞的chip挑出來；檢驗(yàn)封裝的良率?，F(xiàn)在對于一般的wafer工藝，很多公司多把CP給省了；減少成本。CP對整片Wafer的每個Die來測試

　　而FT則對封裝好的Chip來測試。CP Pass 才會去封裝。然后FT，確保封裝后也Pass。WAT是Wafer AcceptanceTest，對專門的測試圖形（test key）的測試，通過電參數(shù)來監(jiān)控各步工藝是否正常和穩(wěn)定。

　　微流控芯片溫度控制CP是wafer level的chip probing，是整個wafer工藝，包括backgrinding和backmetal（if need），對一些基本器件參數(shù)的測試，如vt（閾值電壓），Rdson（導(dǎo)通電阻），BVdss（源漏擊穿電壓），Igss（柵源漏電流），Idss（漏源漏電流）等，一般測試機(jī)臺的電壓和功率不會很高。

　　微流控芯片溫度控制FT是packaged chip level的Final Test，主要是對于這個（CPpassed）IC或Device芯片應(yīng)用方面的測試，有些甚至是待機(jī)測試；CP 測試對Memory來說還有一個非常重要的作用，那就是通過MRA計(jì)算出chip level 的Repair address，通過Laser Repair將CP測試中的Repairable die 修補(bǔ)回來，這樣保證了yield和reliability兩方面的提升。

　　對于微流控芯片溫度控制測試項(xiàng)來說，有些測試項(xiàng)在CP時會進(jìn)行測試，在FT時就不用再次進(jìn)行測試了，節(jié)省了FT測試時間；但是有些測試項(xiàng)必須在FT時才進(jìn)行測試（不同的設(shè)計(jì)公司會有不同的要求）一般來說，CP測試的項(xiàng)目比較多，比較全；FT測的項(xiàng)目比較少，但都是關(guān)鍵項(xiàng)目，條件嚴(yán)格。但也有很多公司只做FT不做CP（如果FT和封裝yield高的話，CP就失去意義了）。在測試方面，CP比較難的是探針卡的制作，并行測試的干擾問題。FT相對來說簡單一點(diǎn)。還有一點(diǎn)，memory測試的CP會更難，因?yàn)橐?/span>redundancy analysis，寫程序很麻煩。CP在整個制程中算是半成品測試，目的有2個，1個是監(jiān)控前道工藝良率，另一個是降低后道成本（避免封裝過多的壞芯片），其能夠測試的項(xiàng)比FT要少些。簡單的一個例子，碰到大電流測試項(xiàng)CP肯定是不測的（探針容許的電流有限），這項(xiàng)只能在封裝后的FT測。不過許多項(xiàng)CP測試后FT的時候就可以免掉不測了（可以提率），所以有時會覺得FT的測試項(xiàng)比CP少很多。

　　微流控芯片溫度控制中的專業(yè)術(shù)語可能大多數(shù)人都不是很懂，但還是建議用戶多多了解相關(guān)專業(yè)知識更好的運(yùn)行微流控芯片溫度控制。(本文來源網(wǎng)絡(luò)，如有侵權(quán)請聯(lián)系刪除，謝謝)